人物档案

黄昆（1919.9.2-2005.7.6），北京人，祖籍浙江嘉兴，世界著名物理学家、中国固体和半导体物理学奠基人之一。1955年当选为中国科学院学部委员（院士）。1957年加入九三学社。

黄昆院士是世界著名的物理学家，他对固体物理学作出了许多开拓性的重大贡献。是我国固体物理学和半导体物理学的奠基人之一。他从理论上预言了与晶格中杂质有关的X光漫散射，被称为“黄散射”，已发展成为一种能直接研究固体中微观缺陷的有效手段。他的多声子跃迁理论，以“黄一里斯因子”而著称于世。他提出关于描述晶体中光学位移、宏观电场与电极化三者关系的“黄方程”和由此引伸的电磁波与晶格振动的耦合，即后来称为极化元的重要概念。他的理论对信息产业（特别是光电子产业）具有重要的现实指导意义，产生着越来越深远的影响。

黄昆1941年在北京燕京大学毕业时留影

黄昆父亲黄徵是中国银行高级职员，母亲贺延祉也是银行职员。母亲毕业于北京女子师范大学，为人严肃认真，对黄昆少年时期的成长，有过很大影响。

1937年，黄昆考入燕京大学物理系，1941年毕业。在大学期间，他对世界新兴的量子力学痴迷，完成了《海森堡和薛定锷量子力学理论的等价性》论文，获学士学位，毕业后在昆明西南联合大学物理系任助教。1942年，黄昆考取西南联大理论物理研究生，导师为物理学家吴大猷。1944年，黄昆完成了《日冕光谱线的激起》的论文，获北京大学硕士学位，毕业后，在昆明天文台任研究员。

黄昆在英国布列斯托大学

1944年8月，黄昆考取公费留英，在英国布里斯托大学读研究生，1947年获博士学位。在此期间，黄昆撰写了《稀固溶体的X光漫散射》等3篇论文。黄昆给出了这种漫散射系统理论，21年后得到证实，理论被国际科技界命名为“黄散射”，成为研究固体中杂质状态的重要依据。通过“黄散射”的研究可以得到溶质原子周围位移场的情况。

黄昆在英国利物浦大学做博士后时与同事们合影

1947年5月，黄昆到英国爱丁堡大学物理系，与当代物理学大师、诺贝尔奖获得者玻恩合作，共同撰写《晶格动力学理论》专著。玻恩为该书写的序言中提到“本书之最终形式和撰写应基本上归功于黄昆博士”。黄昆与玻恩合著的《晶格动力学理论》一书是国际公认的这一学科领域的权威著作，哺育了世界上几代科学家的成长。1948年初，黄昆接受英国利物浦大学聘请，成为博士后研究员。黄昆与合作者首次提出多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论，即“黄—佩卡尔理论”。1951年，黄昆首次提出晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式及有关的基本方程。1963年被拉曼散射实验所证实，被命名为电磁声子，后来发现其他物质振动也有类似的与电磁波的耦合振荡模式，统称为极化激元。现在极化激元已经成为分析固体某些光学性质的基础，黄昆当时提出的方程，被称为“黄方程”。

1955年，北京大学第一届半导体方向毕业生和黄昆合影

1951年底，黄昆先生怀着振兴中华，报效祖国的殷切心情，放弃了个人科学生涯中获得重大成就的机遇和国外的优越生活条件，满腔热诚地回道自己深爱的祖国，就任北京大学物理系教授，他认为，在中国培养一支科技队伍的重要性，远远超过个人在学术上的成就。他与其他教学人员一起，建立了有中国特色的普通物理教学体系。他们强调立论要严谨、物理图像要清晰、讲授要深入浅出。直到现在，北大理科基础教学还发扬着他们讲课的传统。

在北京中科院半导体所超晶格室学术报告厅作学术报告

1977年，黄昆调任中国科学院半导体研究所所长。他在组织全所科研工作完成国家任务的同时，十分重视全所学术水平的提高。他亲自给研究人员讲课，组织全所学术交流。他还在“晶体中电子非辐射跃迁理论”“半导体量子阱和超晶格理论”的研究上取得了新成就，发表论文20余篇。在黄昆主持下，半导体研究所成立了我国半导体超晶格国家重点实验室，开创并发展了我国在这一材料科学和固体物理中的崭新领域的研究工作。

北京大学黄昆先生铜像落成仪式

作为中国半导体事业的奠基人，黄昆先生不仅是一位优秀的科学家，做出了全世界最顶尖的前沿科技成果。更是一位伟大的教育家，用他人生最年富力强的26年，在高等教育战线上为中国培养了一代甚至几代半导体科学技术和研究方面的栋梁之才，使中国的半导体事业能从无到有，迅速发展壮大，跟上国际迅猛前进的步伐，站在世界的前列。